RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB против Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Средняя оценка
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
42
Около 17% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.9
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.0
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
42
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
13.9
Скорость записи, Гб/сек
9.6
11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2312
2034
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link