RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB против Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.6
8.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
35
Около -30% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.1
13.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
27
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
14.1
Скорость записи, Гб/сек
9.6
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2312
2436
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link