RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
79
Около 70% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
7.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
4.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
79
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
7.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
4.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1671
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Kingston 9905403-434.A00LF 4GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link