RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
79
Около 70% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
7.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
4.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
79
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
7.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
4.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1671
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Corsair CM2X1024-6400 1GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link