RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
79
Wokół strony 70% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
7.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
4.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
79
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
7.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
4.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
1671
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link