RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
79
Wokół strony 70% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
7.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
4.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
79
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
7.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
4.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
1671
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD251280081 512MB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link