RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB против Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Средняя оценка
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.7
12
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.6
9.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
35
Около -25% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
28
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
12.0
Скорость записи, Гб/сек
9.6
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2312
2347
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB Сравнения RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8A
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link