RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Porównaj
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.7
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
9.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
35
Wokół strony -25% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
28
Prędkość odczytu, GB/s
13.7
12.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2312
2347
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link