RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB против Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
35
Около -59% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.9
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.5
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
22
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
20.9
Скорость записи, Гб/сек
9.6
18.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2312
4324
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link