Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB против Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    28 left arrow 35
    Около -25% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    17.4 left arrow 13.7
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    14.5 left arrow 9.6
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    23400 left arrow 12800
    Около 1.83 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    35 left arrow 28
  • Скорость чтения, Гб/сек
    13.7 left arrow 17.4
  • Скорость записи, Гб/сек
    9.6 left arrow 14.5
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 23400
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2312 left arrow 3419
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения