RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Compara
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Puntuación global
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
35
En -25% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.4
13.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.5
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
23400
12800
En 1.83 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
28
Velocidad de lectura, GB/s
13.7
17.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
14.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
23400
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2312
3419
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link