Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB против SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB

-->

Средняя оценка

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Средняя оценка

SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

35 36

Около 3% меньшая задержка

SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB

Причины выбрать
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

15.1 13.7

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

11.5 9.6

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 12800

Около 1.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

35 36
Скорость чтения, Гб/сек

13.7 15.1
Скорость записи, Гб/сек

9.6 11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 21300

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2312 2814

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB

Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

V-GEN D4H4GS24A8 4GB

V-GEN D4H4GS24A8 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB

SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB

Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB

Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB

модули RAM

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB

модули RAM

Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB

Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB

Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB

Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB

модули RAM

Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB

Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB

Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB

Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB

Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB

Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB

Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB

модули RAM

Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB

Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB

Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB

Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208

модули RAM

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB

G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB

модули RAM