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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB

総合得点
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

総合得点
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SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB 考慮すべき理由
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    35 left arrow 36
    周辺 3% 低遅延
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.1 left arrow 13.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.5 left arrow 9.6
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    35 left arrow 36
  • 読み出し速度、GB/s
    13.7 left arrow 15.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.6 left arrow 11.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2312 left arrow 2814

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Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
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メモリRAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
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G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
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メモリRAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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メモリRAM
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
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Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
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G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
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メモリRAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
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Kingston 9905734-003.A00G 32GB
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
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