Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB против Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB

Средняя оценка
star star star star star
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Различия

  • Выше скорость чтения
    15.6 left arrow 13.4
    Среднее значение в тестах
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    25 left arrow 31
    Около -24% меньшая задержка
  • Выше скорость записи
    12.1 left arrow 10.6
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR5
  • Задержка в PassMark, нс
    31 left arrow 25
  • Скорость чтения, Гб/сек
    15.6 left arrow 13.4
  • Скорость записи, Гб/сек
    10.6 left arrow 12.1
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    19200 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
  • Тайминги / частота
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow no data / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2837 left arrow 3419
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения