RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB против Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB

Средняя оценка
star star star star star
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    23 left arrow 28
    Около 18% меньшая задержка
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    17.7 left arrow 15.2
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    14.6 left arrow 9.3
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 12800
    Около 1.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    23 left arrow 28
  • Скорость чтения, Гб/сек
    15.2 left arrow 17.7
  • Скорость записи, Гб/сек
    9.3 left arrow 14.6
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2514 left arrow 3567

Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB Сравнения RAM

Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
модули RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
модули RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
модули RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
модули RAM
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
модули RAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
модули RAM
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
модули RAM
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
модули RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
модули RAM
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
модули RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
модули RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
модули RAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
модули RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
модули RAM