RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Сравнить
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB против Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Средняя оценка
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
42
Около -11% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.4
9.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
38
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
14.0
Скорость записи, Гб/сек
9.4
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2326
2055
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link