RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
42
Wokół strony -11% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
38
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2326
2055
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Kingston KF548C38-16 16GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link