RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Porównaj
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
38
Wokół strony 37% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
15
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
11.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
38
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
11.0
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2445
3005
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB Porównanie pamięci RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link