RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Comparez
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Note globale
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
42
Autour de -11% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.4
9.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
38
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
14.0
Vitesse d'écriture, GB/s
9.4
10.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2326
2055
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Comparaison des RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link