RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB против G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
39
Около -105% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.5
14.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.9
9.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
19
Скорость чтения, Гб/сек
14.7
19.5
Скорость записи, Гб/сек
9.2
14.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2322
3355
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB Сравнения RAM
Transcend Information JM1600KLN-4GK 2GB
Micron Technology ITC 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link