RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.7
11.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
39
Около -44% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.8
9.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
27
Скорость чтения, Гб/сек
14.7
11.4
Скорость записи, Гб/сек
9.2
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2322
2062
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB Сравнения RAM
Transcend Information JM1600KLN-4GK 2GB
Micron Technology ITC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Samsung M4 70T5267AZ3-CF7 4GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Corsair CM2X2048-6400C5DHX 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link