RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB против Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Средняя оценка
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.2
7.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
39
Около -86% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.2
14.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
21
Скорость чтения, Гб/сек
14.7
16.2
Скорость записи, Гб/сек
9.2
7.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2322
2337
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB Сравнения RAM
Transcend Information JM1600KLN-4GK 2GB
Micron Technology ITC 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link