RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB против Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
39
Около -34% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
14.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.5
9.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
29
Скорость чтения, Гб/сек
14.7
16.7
Скорость записи, Гб/сек
9.2
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2322
3076
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB Сравнения RAM
Transcend Information JM1600KLN-4GK 2GB
Micron Technology ITC 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link