RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB против Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Средняя оценка
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
41
Около -58% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.7
12.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.2
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
26
Скорость чтения, Гб/сек
12.2
13.7
Скорость записи, Гб/сек
8.6
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2062
2594
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Crucial Technology ST25664BA1339.8FMR 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link