RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB против Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
41
57
Около 28% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14
9.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.2
7.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
57
Скорость чтения, Гб/сек
14.0
9.5
Скорость записи, Гб/сек
9.2
7.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2356
2213
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB Сравнения RAM
Smart Modular SH564568FH8N0QHSCG 2GB
Mushkin 994093 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link