RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB против Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
41
Около -86% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.6
14
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
9.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
22
Скорость чтения, Гб/сек
14.0
17.6
Скорость записи, Гб/сек
9.2
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2356
2902
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB Сравнения RAM
Smart Modular SH564568FH8N0QHSCG 2GB
Mushkin 994093 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link