Peak Electronics 256X64M-67E 2GB против Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB

-->

Средняя оценка

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

Средняя оценка

Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

Причины выбрать
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

5 12.6

Среднее значение в тестах

Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

36 39

Около -8% меньшая задержка
Выше скорость записи

8.1 1,597.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 5300

Около 3.62 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

39 36
Скорость чтения, Гб/сек

5,022.9 12.6
Скорость записи, Гб/сек

1,597.0 8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 19200

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

753 2055

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB

A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB

модули RAM

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB

Kingston 9905711-007.A00G 4GB

Kingston 9905711-007.A00G 4GB

модули RAM

G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB

G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB

Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB

Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB

модули RAM

SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB

Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB

модули RAM

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB

SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB

G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB

SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB

Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB

Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB

Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB

модули RAM

Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB

Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB

G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB

модули RAM

Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB

Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G

модули RAM

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB

Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB

модули RAM

G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB

Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB

Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB

модули RAM

Avant Technology F6451U64F9333G 4GB

Avant Technology F6451U64F9333G 4GB

Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB

Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB

модули RAM