RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
13.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
59
77
Около -31% меньшая задержка
Выше пропускная способность
25600
5300
Около 4.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
59
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
16.2
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
25600
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
2727
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link