RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
13.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
59
77
Rund um -31% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
5300
Rund um 4.83 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
59
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,405.2
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
13.7
Speicherbandbreite, mbps
5300
25600
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
763
2727
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link