RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
59
77
Wokół strony -31% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
59
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2727
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link