RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Сравнить
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB против G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
-->
Средняя оценка
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
14.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
39
Около -5% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.2
1,597.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
37
Скорость чтения, Гб/сек
5,022.9
14.8
Скорость записи, Гб/сек
1,597.0
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
753
2751
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB Сравнения RAM
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link