RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Сравнить
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB против G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
-->
Средняя оценка
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
16.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
39
Около -39% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.0
1,597.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
28
Скорость чтения, Гб/сек
5,022.9
16.1
Скорость записи, Гб/сек
1,597.0
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
753
3010
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB Сравнения RAM
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link