RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Сравнить
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB против G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
-->
Средняя оценка
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
12.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
39
Около -39% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.3
1,597.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
28
Скорость чтения, Гб/сек
5,022.9
12.9
Скорость записи, Гб/сек
1,597.0
10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
753
2619
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB Сравнения RAM
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link