RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Сравнить
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
-->
Средняя оценка
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
10
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
39
Около -11% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.9
1,597.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
35
Скорость чтения, Гб/сек
5,022.9
10.0
Скорость записи, Гб/сек
1,597.0
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
753
2200
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB Сравнения RAM
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB Сравнения RAM
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link