Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Kingston KVR533D2N4 512MB против Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

Средняя оценка
star star star star star
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    25 left arrow 75
    Около -200% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    13.4 left arrow 1
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    12.1 left arrow 1,672.1
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 4200
    Около 4.57 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR5
  • Задержка в PassMark, нс
    75 left arrow 25
  • Скорость чтения, Гб/сек
    1,943.5 left arrow 13.4
  • Скорость записи, Гб/сек
    1,672.1 left arrow 12.1
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    4200 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
  • Тайминги / частота
    4-4-4-12 / 533 MHz left arrow no data / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    301 left arrow 3419
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения