Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Kingston KVR533D2N4 512MB vs Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Puntuación global
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Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

Puntuación global
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Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    25 left arrow 75
    En -200% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    13.4 left arrow 1
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    12.1 left arrow 1,672.1
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    19200 left arrow 4200
    En 4.57 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR2 left arrow DDR5
  • Latencia en PassMark, ns
    75 left arrow 25
  • Velocidad de lectura, GB/s
    1,943.5 left arrow 13.4
  • Velocidad de escritura, GB/s
    1,672.1 left arrow 12.1
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    4200 left arrow 19200
Other
  • Descripción
    PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    4-4-4-12 / 533 MHz left arrow no data / 2400 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    301 left arrow 3419
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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