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Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
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Kingston KVR533D2N4 512MB vs Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
総合得点
Kingston KVR533D2N4 512MB
総合得点
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
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考慮すべき理由
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
25
75
周辺 -200% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
13.4
1
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.1
1,672.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
4200
周辺 4.57 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR5
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
75
25
読み出し速度、GB/s
1,943.5
13.4
書き込み速度、GB/秒
1,672.1
12.1
メモリ帯域幅、mbps
4200
19200
Other
商品説明
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
タイミング / クロック速度
4-4-4-12 / 533 MHz
no data / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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