Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Kingston KVR533D2N4 512MB vs Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Gesamtnote
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Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

Gesamtnote
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Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Unterschiede

Kingston KVR533D2N4 512MB Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KVR533D2N4 512MB
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Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    25 left arrow 75
    Rund um -200% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    13.4 left arrow 1
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    12.1 left arrow 1,672.1
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    19200 left arrow 4200
    Rund um 4.57 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR2 left arrow DDR5
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    75 left arrow 25
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    1,943.5 left arrow 13.4
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    1,672.1 left arrow 12.1
  • Speicherbandbreite, mbps
    4200 left arrow 19200
Other
  • Beschreibung
    PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    4-4-4-12 / 533 MHz left arrow no data / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    301 left arrow 3419
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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