RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Сравнить
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
45
Около 13% меньшая задержка
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
6.9
5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
6.3
1,597.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
45
Скорость чтения, Гб/сек
5,022.9
6.9
Скорость записи, Гб/сек
1,597.0
6.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, TBD2 V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
753
1499
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB Сравнения RAM
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link