RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Comparez
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Note globale
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
45
Autour de 13% latence réduite
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
6.9
5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
6.3
1,597.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
45
Vitesse de lecture, GB/s
5,022.9
6.9
Vitesse d'écriture, GB/s
1,597.0
6.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, TBD2 V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
753
1499
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB Comparaison des RAM
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link