RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Comparez
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Note globale
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Note globale
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
15
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
45
92
Autour de -104% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.3
1,266.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
92
45
Vitesse de lecture, GB/s
2,105.4
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,266.1
8.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
339
2190
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link