RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
92
Wokół strony -104% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
45
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
2190
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link