Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB против Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB

Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    39 left arrow 62
    Около 37% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    5 left arrow 16.7
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    7.0 left arrow 1,597.0
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 5300
    Около 3.62 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    39 left arrow 62
  • Скорость чтения, Гб/сек
    5,022.9 left arrow 16.7
  • Скорость записи, Гб/сек
    1,597.0 left arrow 7.0
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    5300 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    753 left arrow 1808
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения