Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Средняя оценка

Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB

Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Сообщить об ошибке

Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB

Причины выбрать
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

19.1 12.8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

15.6 9.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 10600

Около 2.01 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

26 26
Скорость чтения, Гб/сек

12.8 19.1
Скорость записи, Гб/сек

9.0 15.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 21300

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2143 3609

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB

модули RAM

Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB

Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB

Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB

Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB

модули RAM

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB

G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB

модули RAM

Kingston HX318C10FK/4 4GB

Kingston HX318C10FK/4 4GB

Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB

Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB

модули RAM

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB

Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB

модули RAM

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Kingston 9965643-002.A01G 4GB

Kingston 9965643-002.A01G 4GB

модули RAM

Kingston 9905469-143.A00LF 4GB

Kingston 9905469-143.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB

модули RAM

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB

Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB

A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB

Micron Technology 16G3200CL22 16GB

Micron Technology 16G3200CL22 16GB

модули RAM

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Kingston 9905665-023.A00G 4GB

Kingston 9905665-023.A00G 4GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB

Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB

модули RAM

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB

Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB

модули RAM

SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB

модули RAM