RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB Причины выбрать
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    5 left arrow 15.6
    Среднее значение в тестах
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    24 left arrow 39
    Около -63% меньшая задержка
  • Выше скорость записи
    12.1 left arrow 1,597.0
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 5300
    Около 3.62 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    39 left arrow 24
  • Скорость чтения, Гб/сек
    5,022.9 left arrow 15.6
  • Скорость записи, Гб/сек
    1,597.0 left arrow 12.1
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    5300 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    753 left arrow 2852

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB Сравнения RAM

A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB Сравнения RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
модули RAM
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
модули RAM
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
модули RAM
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
модули RAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
модули RAM
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
модули RAM
Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
модули RAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
модули RAM
Samsung M378B5773CH0-CK0 2GB
Samsung M378B5773CH0-CK0 2GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
модули RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
модули RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
модули RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
модули RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
модули RAM