RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
51
Около -122% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.6
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.4
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
23
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
16.6
Скорость записи, Гб/сек
11.8
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3169
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link