RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Confronto
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Punteggio complessivo
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
21300
Intorno 1.2% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
51
Intorno -122% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.6
15.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.4
11.8
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
23
Velocità di lettura, GB/s
15.6
16.6
Velocità di scrittura, GB/s
11.8
13.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
21300
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2687
3169
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link