RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
51
Wokół strony -122% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
23
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3169
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link