RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Сравнить
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
-->
Средняя оценка
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
20.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
39
Около -117% меньшая задержка
Выше скорость записи
17.2
1,597.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
18
Скорость чтения, Гб/сек
5,022.9
20.4
Скорость записи, Гб/сек
1,597.0
17.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
753
3814
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB Сравнения RAM
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link