PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB против G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB

-->

Средняя оценка

PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB

PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB

Причины выбрать
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB

Сообщить об ошибке

G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

17 63

Около -271% меньшая задержка
Выше скорость чтения

21 6.1

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

15.6 5.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

63 17
Скорость чтения, Гб/сек

6.1 21.0
Скорость записи, Гб/сек

5.0 15.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1274 3481

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB

PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB

модули RAM

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

Kingston 9905663-005.A00G 16GB

Kingston 9905663-005.A00G 16GB

модули RAM

AMD R334G1339U2S 4GB

AMD R334G1339U2S 4GB

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

модули RAM

Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB

Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB

модули RAM

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB

Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB

модули RAM

Kingston KP4T2F-PSB 4GB

Kingston KP4T2F-PSB 4GB

Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB

Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB

SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB

Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB

модули RAM

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB

SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB

модули RAM

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB

Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Kingston KDK8NX-MIE 16GB

Kingston KDK8NX-MIE 16GB

модули RAM

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB

Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB

Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB

модули RAM

Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB

Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB

модули RAM