RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
25
Около 4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
25
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2450
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link