Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB против Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Средняя оценка

Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB

Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Причины выбрать
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Сообщить об ошибке

Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB

Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

27 45

Около -67% меньшая задержка
Выше скорость чтения

17.6 11.9

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

17.4 8.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 12800

Около 1.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

45 27
Скорость чтения, Гб/сек

11.9 17.6
Скорость записи, Гб/сек

8.1 17.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 21300

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2077 3845

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 9905403-437.A01LF 4GB

Kingston 9905403-437.A01LF 4GB

Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB

Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB

Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB

EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB

SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB

Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB

модули RAM

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB

V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB

модули RAM

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB

Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB

модули RAM

Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB

Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB

Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB

Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB

модули RAM

Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB

Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N

модули RAM

AMD R5S38G1601U2S 8GB

AMD R5S38G1601U2S 8GB

Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB

Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB

модули RAM

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB

Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB

модули RAM

Kingston KF552C40-16 16GB

Kingston KF552C40-16 16GB

Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB

Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB

модули RAM

Kingston 9905316-106.A02LF 1GB

Kingston 9905316-106.A02LF 1GB

Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB

Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB

модули RAM